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NTMFS10N3D2C
耐压:100V 电流:151A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS10N3D2C
- 商品编号
- C606046
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 151A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 138W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用安森美半导体(ON Semiconductor)先进的PowerTrench工艺制造,该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 67 A时,最大rDS(on) = 3.2 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 33 A时,最大rDS(on) = 9 mΩ
- Qrr比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-主DC-DC MOSFET-DC-DC和AC-DC中的同步整流器-电机驱动-太阳能
- NTNS3A65PZT5G
- NTBLS4D0N15MC
- FDP2532
- NTS10100EMFST1G
- QRE1113
- RHRG1560CC
- STK541UC60C-E
- 4N37M
- KST10MTF
- MPS751
- NSS30101LT1G
- AFGHL50T65SQ
- AP0100AT2L00XUGA0-DR
- AP1302CSSL00SMGA0-DR
- AR0135CS2M00SUEA0-DRBR
- AR0143ATSC00XUEA1-DPBR
- AR0144CSSM20SUKA0-CPBR
- AR0331SRSC00SUCA0-DRBR
- AR1335CSSC11SMKA0-CP
- AR1820HSSC00SHEA0-DR
- ASX340AT2C00XPED0-DPBR