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FCD3400N80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:2A
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCD3400N80Z
- 商品编号
- C606096
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.393克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.75Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.36pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 导通电阻RDS(on) = 2.75 Ω（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 7.4 nC）
- 低输出存储能量（典型值0.9 μJ @ 400 V）
- 低有效输出电容（典型值Coss(eff.) = 41 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 改进的静电放电能力
应用领域
- 交流-直流电源-LED照明