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FCPF165N65S3L1
1个N沟道 耐压:650V 电流:19A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是利用电荷平衡技术的新型高压超结 (SJ) MOSFET 系列，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 易驱动系列有助于管理 EMI 问题，并便于设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF165N65S3L1
- 商品编号
- C606098
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.41mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.415nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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