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FDBL0630N150
1个N沟道 耐压:150V 电流:169A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL0630N150
- 商品编号
- C606100
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 169A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.805nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 典型值 rDS(on) = 5 mΩ（在 VGS = 10 V、ID = 80 A 时）
- 典型 Qg(tot) = 70 nC（在 VGS = 10 V、ID = 80 A 时）
- 非钳位感性负载开关（UIS）能力
- 该器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 工业电机驱动器-工业电源-工业自动化-电动工具-电池保护-太阳能逆变器-UPS 和能源逆变器-储能-负载开关