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NTBLS4D0N15MC实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTBLS4D0N15MC

1个N沟道 耐压:150V 电流:187A

描述
特性:低导通电阻RDS(on),以降低传导损耗。 低栅极电荷QG和电容,以降低驱动损耗。 降低开关噪声/电磁干扰。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准。应用:电动工具、电池驱动的吸尘器。 无人机、物料搬运
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTBLS4D0N15MC
商品编号
C606054
商品封装
MO-299A​
包装方式
编带
商品毛重
0.925克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)187A
导通电阻(RDS(on))4.4mΩ@10V,80A
耗散功率(Pd)316W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)90.4nC@10V
输入电容(Ciss)7.49nF
反向传输电容(Crss)27.2pF@75V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
  • 降低开关噪声/电磁干扰(EMI)
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准

应用领域

  • 电动工具、电池驱动吸尘器
  • 无人机、物料搬运设备
  • 电池管理系统(BMS)/储能、家庭自动化

数据手册PDF