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MVGSF1N03LT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.1A
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- 描述
- 汽车用功率 MOSFET，30V，2.1A，100mΩ，单 N 沟道，SOT-23。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MVGSF1N03LT1G
- 商品编号
- C606035
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 690mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低 RDS(ON) 可提高效率并延长电池使用寿命
- 微型SOT - 23表面贴装封装可节省电路板空间
- MV前缀适用于汽车及其他需要特定场所和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-便携式和电池供电产品的电源管理-计算机-打印机-PCMCIA卡-移动电话和无绳电话