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NTNS3A65PZT5G
NTNS3A65PZT5G
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTNS3A65PZT5G
- 商品编号
- C606047
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 281mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 155mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 44pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 单P沟道MOSFET
- 超薄型SOT - 883 (XDFN3)封装，尺寸为1.0 x 0.6 x 0.4 mm，适用于便携式电子设备等超薄环境
- 超小1.0 x 0.6 mm封装下的低导通电阻（RDS(on)）解决方案
- 1.5 V栅极驱动
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 高端开关-高速接口-专为超便携式解决方案中的电源管理优化