- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTNS3A65PZT5G
NTNS3A65PZT5G
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTNS3A65PZT5G
- 商品编号
- C606047
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 281mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 155mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 44pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 单P沟道MOSFET
- 超薄型SOT - 883 (XDFN3)封装,尺寸为1.0 x 0.6 x 0.4 mm,适用于便携式电子设备等超薄环境
- 超小1.0 x 0.6 mm封装下的低导通电阻(RDS(on))解决方案
- 1.5 V栅极驱动
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-高端开关-高速接口-专为超便携式解决方案中的电源管理优化
- NTBLS4D0N15MC
- FDP2532
- NTS10100EMFST1G
- QRE1113
- RHRG1560CC
- STK541UC60C-E
- 4N37M
- KST10MTF
- MPS751
- NSS30101LT1G
- AFGHL50T65SQ
- AP0100AT2L00XUGA0-DR
- AP1302CSSL00SMGA0-DR
- AR0135CS2M00SUEA0-DRBR
- AR0143ATSC00XUEA1-DPBR
- AR0144CSSM20SUKA0-CPBR
- AR0331SRSC00SUCA0-DRBR
- AR1335CSSC11SMKA0-CP
- AR1820HSSC00SHEA0-DR
- ASX340AT2C00XPED0-DPBR
- CAT24C512C8UTR