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FDG6332C-F085
耐压:20V 电流:0.7A
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- 描述
- N沟道和P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。这些器件专为在极小的占位面积内实现卓越的功率耗散而设计，适用于采用更大、更昂贵的TSSOP - 8和SSOP - 6封装不切实际的应用场景。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6332C-F085
- 商品编号
- C606020
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 114pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道和P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特殊优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件专为在极小的封装尺寸内实现卓越的功率耗散而设计，适用于使用更大且更昂贵的TSSOP - 8和SSOP - 6封装不切实际的应用场景。
商品特性
- Q1：0.7 A，20V。
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 300 mΩ
- VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 400 mΩ
- Q2：-0.6 A，-20V。
- VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 420 mΩ
- VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 630 mΩ
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- SC70 - 6封装：占位面积小（比SSOT - 6小51%）；厚度薄（1mm）
- 符合AEC Q101标准
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器-负载开关-LCD显示器逆变器