温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS86180
1个N沟道 耐压:100V 电流:151A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86180
- 商品编号
- C606021
- 商品封装
- Power56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.288克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 151A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,67A | |
| 耗散功率(Pd) | 138W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.215nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 67 A时，最大rDS(on) = 3.2 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 33 A时，最大rDS(on) = 7.9 mΩ
- 反向恢复电荷（Qrr）比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1坚固封装设计
- 100%通过单脉冲雪崩能量（UI1L）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET-DC-DC和AC-DC中的同步整流器-电机驱动-太阳能