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FDA28N50F
1个N沟道 耐压:500V 电流:28A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA28N50F
- 商品编号
- C606018
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.387nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。通过寿命控制，UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其trr小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的trr和反向dv/dt抗扰度分别超过200纳秒和4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以减少额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 14A时，RDS(on) = 140mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值80nC）
- 低Crss（典型值38pF）
- 经过100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- PDP电视-不间断电源-交流-直流电源