FDD24AN06LA0-F085
FDD24AN06LA0-F085
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD24AN06LA0-F085
- 商品编号
- C606019
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@5V,36A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- NVTFS4C10NWF - 可焊侧翼产品
- NVT前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准
