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FQP50N06L-EPKE0003-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为60A，漏源击穿电压达60V，导通电阻典型值为17毫欧，栅源电压耐受范围为20V。器件凭借低导通损耗特性，适用于大电流开关场景，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元，可实现高效电能切换与热管理优化。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FQP50N06L-EPKE0003-HXY
商品编号: C54582530
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

FQP50N06L - EPKE0003采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。