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IPD035N06L3GATMA1-HXY
IPD035N06L3GATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流达130A，漏源击穿电压为60V，导通电阻仅为3毫欧，栅源耐压20V。极低内阻显著降低大电流下的导通损耗与发热。适用于高性能服务器电源、大容量储能系统切换及高功率电机驱动等场景，能在严苛负载条件下维持高效电能传输与稳定电路控制。
- 商品型号
- IPD035N06L3GATMA1-HXY
- 商品编号
- C54582521
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.666nF |
商品概述
IPD035N06L3GATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过特殊设计，具有更好的耐用性。封装类型为TO - 252 - 2L。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 130A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 3.5mΩ
应用领域
消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流同步整流应用、N沟道MOSFET
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