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HXY8205LI
2个N沟道 耐压:20V
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- 描述
- 该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压20V，最大连续电流高达6A，特别适合于高效率电源切换和电子设备管理应用。其紧凑结构与卓越性能相结合，为电路提供双通道、低损耗的功率控制方案。
- 商品型号
- HXY8205LI
- 商品编号
- C5148647
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |