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HXY4882S
2个N沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- 高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装工艺，专为消费级市场打造。具备40V高耐压及高达12A的连续电流处理能力，特别适用于高效率电源转换、电机驱动等应用场合。本器件以卓越的低导通电阻和快速开关性能为核心优势，是优化系统能耗、提升设备性能的理想之选。
- 商品型号
- HXY4882S
- 商品编号
- C5148650
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.013nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
HXY4884S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 12A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 20mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 24mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源