HXY4882S
2个N沟道 耐压:40V 电流:8A
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描述
高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装工艺，专为消费级市场打造。具备40V高耐压及高达12A的连续电流处理能力，特别适用于高效率电源转换、电机驱动等应用场合。本器件以卓越的低导通电阻和快速开关性能为核心优势，是优化系统能耗、提升设备性能的理想之选。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY4882S商品编号
C5148650商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10V | |
| 功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 964pF |
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