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HXY302DF
2个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 本款消费级N+N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，双通道设计，额定电压30V，连续电流高达30A。适用于高效电源转换、负载共享和电池管理系统等应用，提供卓越的集成度与功率处理能力，实现现代电子设备的小型化需求。
- 商品型号
- HXY302DF
- 商品编号
- C5148653
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.63nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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