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AON3611-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A 14A
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- 描述
- 此款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道技术，额定电压30V，最大连续电流16A。专为现代电子设备设计，适用于电源转换、负载管理与电池系统控制，提供高效能、紧凑型的半导体解决方案。
- 商品型号
- AON3611-HXY
- 商品编号
- C5148676
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A；14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 10.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@20V；416pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON6566-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 80A
- RDS(ON) < 6mΩ，VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源