AON3611-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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描述
此款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道技术，额定电压30V，最大连续电流16A。专为现代电子设备设计，适用于电源转换、负载管理与电池系统控制，提供高效能、紧凑型的半导体解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AON3611-HXY商品编号
C5148676商品封装
DFN-8L(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V；30mΩ@10V | |
| 功率(Pd) | 10.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 930pF；416pF |
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