- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON3611-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A 14A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道技术，额定电压30V，最大连续电流16A。专为现代电子设备设计，适用于电源转换、负载管理与电池系统控制，提供高效能、紧凑型的半导体解决方案。
- 商品型号
- AON3611-HXY
- 商品编号
- C5148676
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |