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SiS407DN-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:30A
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- 描述
- 这款场效应管具有30A的电流承载能力，最大20V的工作电压，以及12mΩ的典型内阻。其VGS为12V，属于P型器件。适用于需要高电流、低内阻的应用场景，如电源管理、负载开关等，确保系统的稳定运行与高效性能。
- 商品型号
- SiS407DN-HXY
- 商品编号
- C5148684
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单
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