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8205A
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装，集成双N沟道设计，额定电压20V，可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造，适用于各类消费电子产品，提供出色的系统性能与稳定性表现。
- 商品型号
- 8205A
- 商品编号
- C5148694
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 6A
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 27mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 37mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- 双N沟道MOSFET