温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AONR21321-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达50A。专为电源转换、负载开关及电池管理系统设计，具有卓越的功率处理能力与紧凑体积，满足现代电子设备高效能与小型化需求。
- 商品型号
- AONR21321-HXY
- 商品编号
- C5148677
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -50A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- DFN5X6-8L封装
- P沟道MOSFET