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AON7430-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，体积小巧且高效能，额定电压30V，连续电流高达30A。适用于空间有限的电源转换、负载开关以及电池管理系统应用，为现代电子产品提供紧凑、高功率密度的半导体解决方案。
- 商品型号
- AON7430-HXY
- 商品编号
- C5148680
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AONR21321-HXY采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -50A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- DFN5X6-8L封装
- P沟道MOSFET