NTTFS5826NL-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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描述
此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,额定电压60V,连续电流高达20A。专为现代电子产品的小型化与高效能需求设计,适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统应用,实现低损耗、高集成度的电路解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
NTTFS5826NL-HXY商品编号
C5148681商品封装
DFN-8L(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V,15A | |
功率(Pd) | 34.7W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.6nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.378nF@48V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 64pF@48V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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5000+¥0.45672¥0.5709¥2854.5
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个
起订量:5 个5000个/圆盘
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