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NTTFS5826NL-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款场效应管具有20A的电流承载能力，60V的耐压特性，内阻典型值为31mΩ，适用于射频和通信领域。其N型结构和20V的栅源电压使其在低功耗和高效率方面表现出色，适用于多种应用场景。
- 商品型号
- NTTFS5826NL-HXY
- 商品编号
- C5148681
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@48V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@48V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NTTFS5826NL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 15A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 40mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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