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AONR36368-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，提供卓越的功率密度。额定电压为30V，连续电流高达60A，适用于小型化电源转换、高效负载开关以及电池管理系统应用，实现空间节省与高性能的理想结合。
- 商品型号
- AONR36368-HXY
- 商品编号
- C5148682
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 59W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，此技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 的极低组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 85V，漏极电流 (ID) = 100A
- 漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 4.6 mΩ，在栅源电压 (VGS) = 10 V 时为典型值
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数，FOM）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 工作温度可达 150°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量 (UIS) 测试！
- 100% 进行了 ΔVds 测试！
应用领域
- DC/DC 转换器
- 非常适合高频开关和同步整流应用
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