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AON7401-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流可达50A。专为高效电源转换、负载开关控制及电池管理系统设计，提供出色的能效比和紧凑尺寸，满足现代电子产品对高性能与小型化的需求。
- 商品型号
- AON7401-HXY
- 商品编号
- C5148678
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AONR36366-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -50 A
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 15 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 25 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理