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SI2309-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
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描述
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压应用设计，提供高达2A的连续电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制与管理。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SI2309-HXY商品编号
C5148659商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V | |
| 功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 444.2pF |
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