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Si7850DP-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有30A的电流承载能力，60V的电压耐受性，内阻典型值为20mΩ，适用于高电流、低内阻需求的场景。其VGS为20V，确保了良好的开关控制性能。适用于多种应用，包括但不限于电源管理、负载开关等。
- 商品型号
- Si7850DP-HXY
- 商品编号
- C5148670
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Si7850DP-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 30A
- RDS(ON) < 25mΩ（VGS = 10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源