温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON6566-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达80A。专为高效电源转换、电机驱动及电池管理系统设计，具备卓越的功率处理能力和散热性能，是现代高功率电子设备的理想选择。
- 商品型号
- AON6566-HXY
- 商品编号
- C5148673
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON6312-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ（VGS = 10 V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源