AON7422E-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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描述
这款消费级N沟道MOSFET采用极致紧凑的DFN3X3-8L封装，额定电压30V，峰值电流高达80A，具备卓越的功率密度与性能表现。专为小型化、高效率电源转换、负载开关控制以及电池管理系统设计，实现高性能与空间优化的最佳平衡。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AON7422E-HXY商品编号
C5148675商品封装
DFN-8L(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V | |
| 功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.075nF |
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