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AON7422E-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用极致紧凑的DFN3X3-8L封装，额定电压30V，峰值电流高达80A，具备卓越的功率密度与性能表现。专为小型化、高效率电源转换、负载开关控制以及电池管理系统设计，实现高性能与空间优化的最佳平衡。
- 商品型号
- AON7422E-HXY
- 商品编号
- C5148675
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |