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AON6360-HXY

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:120A

  • SMT扩展库
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  • 描述

    本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,具有卓越的功率密度。额定电压30V,连续电流高达120A,专为高效能、大电流应用设计,如电源转换、电机驱动及电池管理系统,提供出色的散热性能与电路集成度。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    AON6360-HXY
  • 商品编号

    C5148666
  • 商品封装

    DFN-8L(5x6)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.12克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
属性参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.5mΩ@10V
功率(Pd)187W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)4.345nF

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