AON6360-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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描述
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,具有卓越的功率密度。额定电压30V,连续电流高达120A,专为高效能、大电流应用设计,如电源转换、电机驱动及电池管理系统,提供出色的散热性能与电路集成度。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AON6360-HXY商品编号
C5148666商品封装
DFN-8L(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 120A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V | |
功率(Pd) | 187W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.345nF |
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