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AON6360-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具有卓越的功率密度。额定电压30V，连续电流高达120A，专为高效能、大电流应用设计，如电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供出色的散热性能与电路集成度。
- 商品型号
- AON6360-HXY
- 商品编号
- C5148666
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V,120A | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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