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NVTFS5116PL-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款场效应管具有20A的电流承载能力，60V的耐压特性，内阻典型值为55mΩ，适用于高电流、低损耗的应用场景。其P型结构使得它在特定电路设计中表现出色，确保了高效的电流控制和稳定的性能表现。
- 商品型号
- NVTFS5116PL-HXY
- 商品编号
- C5148669
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS6681Z采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V，ID = - 100A
- RDS(ON) < 4mΩ，VGS = - 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源