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AON6407-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 热销AON6407 P沟道MOSFET，采用坚固耐用的DFN5X6-8L封装，确保卓越的散热性能与高可靠性。器件参数强劲支持高达30V的漏源耐压(VDSS)，峰值电流能力高达110A，而其超低导通电阻RD(on)仅为3mΩ，成就卓越能效表现。
- 商品型号
- AON6407-HXY
- 商品编号
- C5148668
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4882-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且可在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40 V，漏极电流（ID） = 8 A
- 在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源