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IRFR024N-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高效能电子系统。其参数为：20A电流，100V电压，80mR典型内阻，以及20V的栅源极电压。它能够确保电路运行的稳定性和高效性，适用于多种精密电子设备中，以提升系统性能并保障稳定运行。
- 商品型号
- IRFR024N-HXY
- 商品编号
- C5148661
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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