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AON6312-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具有30V额定电压和高达150A的连续电流处理能力。专为高效能、大电流应用设计，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供卓越功率密度与散热性能。
- 商品型号
- AON6312-HXY
- 商品编号
- C5148664
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON7422E采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 55A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 6mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源