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AON7506-HXY

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:50A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具有出色的散热性能与高功率密度。额定电压为30V,连续电流高达50A,适用于空间有限的电源转换、负载开关控制以及电池管理系统应用,实现高效能、低损耗的电路设计需求。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    AON7506-HXY
  • 商品编号

    C5148665
  • 商品封装

    DFN-8L(3x3)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.06克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@10V,30A
功率(Pd)37.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.8nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)940pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)109pF@15V
工作温度-55℃~+175℃

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