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AON7506-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具有出色的散热性能与高功率密度。额定电压为30V，连续电流高达50A，适用于空间有限的电源转换、负载开关控制以及电池管理系统应用，实现高效能、低损耗的电路设计需求。
- 商品型号
- AON7506-HXY
- 商品编号
- C5148665
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
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