AON7506-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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描述
这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具有出色的散热性能与高功率密度。额定电压为30V,连续电流高达50A,适用于空间有限的电源转换、负载开关控制以及电池管理系统应用,实现高效能、低损耗的电路设计需求。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AON7506-HXY商品编号
C5148665商品封装
DFN-8L(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,30A | |
功率(Pd) | 37.5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.8nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 940pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 109pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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