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8205A-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压为20V，最大连续电流高达6A。适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
- 商品型号
- 8205A-HXY
- 商品编号
- C5148660
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY4430S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 18A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源