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AO4882-HXY
2个N沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- 这款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效电源转换设计。额定电压40V，连续电流高达8A，适合充电器、电源控制等应用。集成双N沟道结构，提供卓越的开关性能与低导通电阻，是您电子设备的理想选择。品质可靠，适用于各类中低压电路的功率转换需求。
- 商品型号
- AO4882-HXY
- 商品编号
- C5148657
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.013nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
AONR36368采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = 40V,I D = 8A
- R D S (ON) < 20mΩ(V G S = 10V 时)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源