AO4882-HXY
2个N沟道 耐压:40V 电流:8A
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描述
这款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效电源转换设计。额定电压40V，连续电流高达8A，适合充电器、电源控制等应用。集成双N沟道结构，提供卓越的开关性能与低导通电阻，是您电子设备的理想选择。品质可靠，适用于各类中低压电路的功率转换需求。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AO4882-HXY商品编号
C5148657商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10V | |
| 功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 964pF |
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