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AO6800-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
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- 描述
- 此款消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道技术，额定电压为30V，最大连续电流高达4.5A。适用于高效率电源转换和电子设备开关控制，凭借其紧凑设计与出色性能，提供理想的双通道功率管理解决方案。
- 商品型号
- AO6800-HXY
- 商品编号
- C5148655
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |