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AO4884-HXY
2个N沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- 本款消费级MOSFET采用SOP-8封装，内置高效N+N沟道设计，额定电压40V，连续电流高达8A。适用于充电器、电源管理、逆变器等高功率应用场合，具备低导通电阻和卓越的开关性能，有效提升系统效率并确保稳定运作，是电子设备的理想功率控制组件。
- 商品型号
- AO4884-HXY
- 商品编号
- C5148656
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRFR024N-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 20A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 87 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源