AO4430-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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描述
本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达18A。专为中高功率需求设计，应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具备出色的能效比和小型化特点，满足现代电子产品紧凑高效的半导体要求。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AO4430-HXY商品编号
C5148658商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5mΩ@10V | |
| 功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.317nF |
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