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AO4430-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达18A。专为中高功率需求设计，应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具备出色的能效比和小型化特点，满足现代电子产品紧凑高效的半导体要求。
- 商品型号
- AO4430-HXY
- 商品编号
- C5148658
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）低（典型值0.6 Ω）
- 低栅极电荷（典型值13 nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- LED
- 充电器
- 电脑电源