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LP2309LT1G-HXY
P沟道 60V 2A
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，设计耐压高达60V，额定电流为2A。具备低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源管理等领域，实现电子设备中高效且稳定的功率控制功能。
- 商品型号
- LP2309LT1G-HXY
- 商品编号
- C5148654
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |