温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HXY30N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有100V高耐压及30A大电流处理能力，专为高效能电源转换、电机驱动等应用设计，提供低损耗、快速响应的开关控制功能，满足高功率电子设备需求。
- 商品型号
- HXY30N10D
- 商品编号
- C5148652
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.387nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要在超小外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的电池供电电路。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤3Ω
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤4Ω
- 在VGS = 3V时，RDS(ON) ≤4.5Ω
- 人体模型（HBM）静电放电保护 >2KV
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-负载开关-电池供电系统-数码相机