温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HXY30N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有100V高耐压及30A大电流处理能力，专为高效能电源转换、电机驱动等应用设计，提供低损耗、快速响应的开关控制功能，满足高功率电子设备需求。
- 商品型号
- HXY30N10D
- 商品编号
- C5148652
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.387nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |