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HXY4430S实物图
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HXY4430S

1个N沟道 耐压:30V 电流:18A

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描述
此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装,额定电压30V,连续电流高达18A。专为高效能电源转换、负载开关及电池管理系统设计,具备卓越的散热性能与小尺寸优势,是现代电子设备的理想功率管理组件。
商品型号
HXY4430S
商品编号
C5148651
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)17.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.845nF@15V
反向传输电容(Crss)183.4pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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