温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HXY4430S
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达18A。专为高效能电源转换、负载开关及电池管理系统设计，具备卓越的散热性能与小尺寸优势，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 商品型号
- HXY4430S
- 商品编号
- C5148651
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY3139CI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 560mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 780mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT-523
- P沟道MOSFET