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HXY8205ES
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 本款消费级MOSFET采用紧凑型TSSOP-8封装，内含双N沟道设计，工作电压高达20V，支持6A连续电流。专为小型化、低功耗电源转换及开关应用打造，是消费电子产品的理想之选，有效提升系统能效与稳定性。
- 商品型号
- HXY8205ES
- 商品编号
- C5148648
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@2.5V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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