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HXY6800LI
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
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- 描述
- 该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压30V，连续电流可达4.5A，适用于各类电源管理与高效切换应用。其紧凑结构及卓越性能，为电子设备提供理想的双通道功率控制解决方案。
- 商品型号
- HXY6800LI
- 商品编号
- C5148646
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |