温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HXY3134CI
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-523封装，额定电压20V，最大连续电流0.8A，专为低功耗电子设备设计。其卓越的开关性能与小巧体积相结合，适用于高集成度电源管理和精细控制应用。
- 商品型号
- HXY3134CI
- 商品编号
- C5148640
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V,0.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO-220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业和工业应用中普遍受到青睐。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单