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HXY2102EI
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-323封装，额定电压为20V，最大连续电流可达2A，专为电子设备的高效电源管理和低功耗开关应用设计。其小巧尺寸与卓越性能相结合，提供出色的系统集成解决方案。
- 商品型号
- HXY2102EI
- 商品编号
- C5148642
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
快速开关 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻 采用SOT-23-3L表面贴装封装。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 2A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET