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HXY2101EI
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-323封装，额定电压为20V，最大连续电流1.8A，专为低能耗、高效率的电源管理及电子设备开关应用设计。其精巧体积与卓越性能相结合，提供出色的电路控制解决方案。
- 商品型号
- HXY2101EI
- 商品编号
- C5148643
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V,1.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 290mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY2309I采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 60V，漏极电流ID = - 2A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 160mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 200mΩ
应用领域
- 负载开关
- PWM应用