温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HXY2101EI
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-323封装，额定电压为20V，最大连续电流1.8A，专为低能耗、高效率的电源管理及电子设备开关应用设计。其精巧体积与卓越性能相结合，提供出色的电路控制解决方案。
- 商品型号
- HXY2101EI
- 商品编号
- C5148643
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |