HXY3139CI
1个P沟道 耐压:20V 电流:660mA
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描述
这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装，具备20V额定电压和0.6A连续电流能力，专为低功耗电子设备设计。适用于电源转换、负载开关等应用，小巧尺寸与高效性能兼具。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY3139CI商品编号
C5148641商品封装
SOT-523包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 560mΩ@4.5V | |
| 功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 115pF |
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