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HXY3139CI
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装，具备20V额定电压和0.6A连续电流能力，专为低功耗电子设备设计。适用于电源转换、负载开关等应用，小巧尺寸与高效性能兼具。
- 商品型号
- HXY3139CI
- 商品编号
- C5148641
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@2.5V,0.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY30N10D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 43 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源