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RFV8TJ6SGC9-HXY

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描述: 该快恢复/高效率二极管为独立式结构，具有8A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，表现出良好的导通与阻断性能。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源及各类对恢复时间与能效有较高要求的电力电子电路中，有效支持系统在高频率下的稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RFV8TJ6SGC9-HXY
商品编号: C53468128
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.072克(g)

商品参数

参数完善中