IDH10G65C5ZXKSA1-HXY

IDH10G65C5ZXKSA1-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在高电压、高频率工作条件下仍能保持较低损耗与良好稳定性，适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDH10G65C5ZXKSA1-HXY

商品编号

C53468130

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.176克(g)